當(dāng)前位置: 首頁 SCI期刊 SCIE期刊 材料科學(xué) 中科院2區(qū) JCRQ1 期刊介紹(非官網(wǎng))
    Advanced Electronic Materials

    Advanced Electronic MaterialsSCIE

    國際簡稱:ADV ELECTRON MATER  參考譯名:先進電子材料

    • 中科院分區(qū)

      2區(qū)

    • CiteScore分區(qū)

      Q1

    • JCR分區(qū)

      Q1

    基本信息:
    ISSN:2199-160X
    E-ISSN:2199-160X
    是否OA:未開放
    是否預(yù)警:否
    TOP期刊:是
    出版信息:
    出版地區(qū):GERMANY
    出版商:Wiley-VCH Verlag
    出版語言:English
    出版周期:12 issues/year
    出版年份:2015
    研究方向:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGYMATERIALS SCIE-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
    評價信息:
    影響因子:5.3
    H-index:33
    CiteScore指數(shù):11
    SJR指數(shù):1.689
    SNIP指數(shù):1.154
    發(fā)文數(shù)據(jù):
    Gold OA文章占比:47.14%
    研究類文章占比:94.34%
    年發(fā)文量:389
    自引率:0.0322...
    開源占比:0.2053
    出版撤稿占比:0
    出版國人文章占比:0.32
    OA被引用占比:0.0666...
    英文簡介 期刊介紹 CiteScore數(shù)據(jù) 中科院SCI分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文數(shù)據(jù) 常見問題

    英文簡介Advanced Electronic Materials期刊介紹

    Advanced Electronic Materials is an interdisciplinary forum for peer-reviewed, high-quality, high-impact research in the fields of materials science, physics, and engineering of electronic and magnetic materials. It includes research on physics and physical properties of electronic and magnetic materials, spintronics, electronics, device physics and engineering, micro- and nano-electromechanical systems, and organic electronics, in addition to fundamental research.

    期刊簡介Advanced Electronic Materials期刊介紹

    《Advanced Electronic Materials》自2015出版以來,是一本材料科學(xué)優(yōu)秀雜志。致力于發(fā)表原創(chuàng)科學(xué)研究結(jié)果,并為材料科學(xué)各個領(lǐng)域的原創(chuàng)研究提供一個展示平臺,以促進材料科學(xué)領(lǐng)域的的進步。該刊鼓勵先進的、清晰的闡述,從廣泛的視角提供當(dāng)前感興趣的研究主題的新見解,或?qū)彶槎嗄陙砟硞€重要領(lǐng)域的所有重要發(fā)展。該期刊特色在于及時報道材料科學(xué)領(lǐng)域的最新進展和新發(fā)現(xiàn)新突破等。該刊近一年未被列入預(yù)警期刊名單,目前已被權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE收錄,得到了廣泛的認(rèn)可。

    該期刊投稿重要關(guān)注點:

    Cite Score數(shù)據(jù)(2024年最新版)Advanced Electronic Materials Cite Score數(shù)據(jù)

    • CiteScore:11
    • SJR:1.689
    • SNIP:1.154
    學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
    大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 36 / 284

    87%

    CiteScore 是由Elsevier(愛思唯爾)推出的另一種評價期刊影響力的文獻計量指標(biāo)。反映出一家期刊近期發(fā)表論文的年篇均引用次數(shù)。CiteScore以Scopus數(shù)據(jù)庫中收集的引文為基礎(chǔ),針對的是前四年發(fā)表的論文的引文。CiteScore的意義在于,它可以為學(xué)術(shù)界提供一種新的、更全面、更客觀地評價期刊影響力的方法,而不僅僅是通過影響因子(IF)這一單一指標(biāo)來評價。

    歷年Cite Score趨勢圖

    中科院SCI分區(qū)Advanced Electronic Materials 中科院分區(qū)

    中科院 2023年12月升級版 綜述期刊:否 Top期刊:否
    大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū)
    材料科學(xué) 2區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 2區(qū) 3區(qū) 3區(qū)

    中科院分區(qū)表 是以客觀數(shù)據(jù)為基礎(chǔ),運用科學(xué)計量學(xué)方法對國際、國內(nèi)學(xué)術(shù)期刊依據(jù)影響力進行等級劃分的期刊評價標(biāo)準(zhǔn)。它為我國科研、教育機構(gòu)的管理人員、科研工作者提供了一份評價國際學(xué)術(shù)期刊影響力的參考數(shù)據(jù),得到了全國各地高校、科研機構(gòu)的廣泛認(rèn)可。

    中科院分區(qū)表 將所有期刊按照一定指標(biāo)劃分為1區(qū)、2區(qū)、3區(qū)、4區(qū)四個層次,類似于“優(yōu)、良、及格”等。最開始,這個分區(qū)只是為了方便圖書管理及圖書情報領(lǐng)域的研究和期刊評估。之后中科院分區(qū)逐步發(fā)展成為了一種評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的重要工具。

    歷年中科院分區(qū)趨勢圖

    JCR分區(qū)Advanced Electronic Materials JCR分區(qū)

    2023-2024 年最新版
    按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 122 / 438

    72.3%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q2 46 / 140

    67.5%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q1 42 / 179

    76.8%

    按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
    學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q2 126 / 438

    71.35%

    學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q2 46 / 140

    67.5%

    學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 48 / 179

    73.46%

    JCR分區(qū)的優(yōu)勢在于它可以幫助讀者對學(xué)術(shù)文獻質(zhì)量進行評估。不同學(xué)科的文章引用量可能存在較大的差異,此時單獨依靠影響因子(IF)評價期刊的質(zhì)量可能是存在一定問題的。因此,JCR將期刊按照學(xué)科門類和影響因子分為不同的分區(qū),這樣讀者可以根據(jù)自己的研究領(lǐng)域和需求選擇合適的期刊。

    歷年影響因子趨勢圖

    發(fā)文數(shù)據(jù)

    2023-2024 年國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計
    • 國家/地區(qū)數(shù)量
    • CHINA MAINLAND498
    • USA215
    • South Korea156
    • GERMANY (FED REP GER)116
    • Japan62
    • England57
    • Italy43
    • Singapore38
    • Australia35
    • France33

    本刊中國學(xué)者近年發(fā)表論文

    • 1、High-kappa and High-Temperature Dipolar Glass Polymers Based on Sulfonylated and Cyanolated Poly(Arylene Ether)s for Capacitive Energy Storage

      Author: Huang, Wen; Ju, Tianxiong; Li, Ruipeng; Duan, Yajun; Duan, Yanan; Wei, Junji; Zhu, Lei

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200414

    • 2、Design Strategies for Strain-Insensitive Wearable Healthcare Sensors and Perspective Based on the Seebeck Coefficient

      Author: Xin, Yangyang; Zhou, Jian; Nesser, Hussein; Lubineau, Gilles

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200534

    • 3、Novel Dielectric Nanogranular Materials with an Electrically Tunable Frequency Response

      Author: Cao, Yang; Kobayashi, Nobukiyo; Wang, Cheng; Takahashi, Saburo; Maekawa, Sadamichi; Masumoto, Hiroshi

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. , Issue , pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202201218

    • 4、Electrical Detection of Magnetic Skyrmions in a Magnetic Tunnel Junction

      Author: Guang, Yao; Zhang, Like; Zhang, Junwei; Wang, Yadong; Zhao, Yuelei; Tomasello, Riccardo; Zhang, Senfu; He, Bin; Li, Jiahui; Liu, Yizhou; Feng, Jiafeng; Wei, Hongxiang; Carpentieri, Mario; Hou, Zhipeng; Liu, Junming; Peng, Yong; Zeng, Zhongming; Finocchio, Giovanni; Zhang, Xixiang; Coey, John Michael David; Han, Xiufeng; Yu, Guoqiang

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200570

    • 5、Electrically Tuning Interfacial Ion Redistribution for mica/WSe2 Memory Transistor

      Author: Yang, Zhihao; Wang, Dong; Wang, Shaoyuan; Tan, Chao; Yang, Lei; Wang, Zegao

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200679

    • 6、Spatiotemporal Modulation of Plasticity in Multi-Terminal Tactile Synaptic Transistor

      Author: Mo, Wen-Ai; Ding, Guanglong; Nie, Zihao; Feng, Zihao; Zhou, Kui; Chen, Ruo-Si; Xie, Peng; Shang, Gang; Han, Su-Ting; Zhou, Ye

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200733

    • 7、Large and Tunable Magnetoresistance in Cr1-xTe/Al2O3/Cr1-xTe Vertical Spin Valve Device

      Author: Gao, Zhansheng; Chen, Jiabiao; Zhang, Zheshan; Liu, Zhaochao; Zhang, Yu; Xu, Lingyun; Wu, Jinxiong; Luo, Feng

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200823

    • 8、Synergistically Enhanced Performance and Reliability of Abrupt Metal-Oxide Heterojunction Transistor

      Author: Wang, Pengfei; Yang, Huan; Li, Jiye; Zhang, Xiaohui; Wang, Lei; Xiao, Juncheng; Zhao, Bin; Zhang, Shengdong; Lu, Lei

      Journal: ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS. 2023; Vol. 9, Issue 1, pp. -. DOI: 10.1002/aelm.202200807

    投稿常見問題

    通訊方式:111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774。

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