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    電子工業(yè)專用設(shè)備雜志

    電子工業(yè)專用設(shè)備雜志部級期刊

    Equipment for Electronic Products Manufacturing

    主管單位:中國電子科技集團(tuán)公司 主辦單位:中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所

    • 審稿周期

      1個(gè)月內(nèi)

    • 影響因子

      0.3

    • 發(fā)文量

      1954

    • 總被引次數(shù)

      3109

    • 全年訂價(jià)

      ¥ 256.00

    • H指數(shù)

      17

    • 立即指數(shù)

      0.0219

    • 引用半衰期

      4.4773

    • 期刊他引率

      0.8286

    • 平均引文率

      4.1825

    基本信息:
    ISSN:1004-4507
    CN:62-1077/TN
    主編:葛勱翀
    郵編:100029
    出版信息:
    出版地區(qū):北京
    出版周期:雙月刊
    出版語言:中文
    創(chuàng)刊時(shí)間:1971
    類別:電子
    收錄信息:
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    榮譽(yù)信息:
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    期刊介紹 投稿須知 評價(jià)報(bào)告 文獻(xiàn)分析 發(fā)文分析 期刊文獻(xiàn) 常見問題

    電子工業(yè)專用設(shè)備期刊介紹

    《電子工業(yè)專用設(shè)備》是由中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所主辦,中國電子科技集團(tuán)公司主管的全國性電子類期刊,創(chuàng)刊于1971年,刊號(CN 62-1077/TN,ISSN 1004-4507),全年定價(jià):256.00元/期,雙月刊。該雜志以刊登電子科學(xué)論文、評價(jià)電子科研成果、探討電子教學(xué)規(guī)律、傳播電子教學(xué)經(jīng)驗(yàn)、開展電子學(xué)術(shù)討論、報(bào)道電子研究動(dòng)態(tài)、提供國內(nèi)外電子信息為主旨,引領(lǐng)電子前沿和熱難點(diǎn)問題研究,助電子經(jīng)學(xué)者成長。該刊級別為部級期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

    《電子工業(yè)專用設(shè)備》期刊欄目主要有:先進(jìn)封裝技術(shù)與設(shè)備 半導(dǎo)體制造工藝與設(shè)備 電子專用設(shè)備研究 專用設(shè)備維護(hù)與保養(yǎng)

    電子工業(yè)專用設(shè)備投稿須知

    (1)要求論文標(biāo)題簡明、醒目,論文格式規(guī)范,論文自帶中/英文摘要(200字左右)及3~5個(gè)關(guān)鍵詞。

    (2)投稿論文后,編輯部收到稿件后一個(gè)月內(nèi)通知作者初審結(jié)果,在此期間請勿一稿多投。

    (3)正文應(yīng)條理清晰,層次分明。文中插圖應(yīng)比例適當(dāng)、清楚美觀,標(biāo)明圖序與圖題;表格應(yīng)結(jié)構(gòu)簡潔,盡量采用“三線表”,必要時(shí)可添加輔助線,要有表序與表題。

    (4)本刊統(tǒng)一采用頁底腳注的形式,每頁注釋重新編號,注釋序號用①,②……標(biāo)識。注碼置于引文結(jié)束的標(biāo)點(diǎn)符號之后右上方。

    (5)計(jì)量和計(jì)數(shù)單位前需使用阿拉伯?dāng)?shù)字,外文字母、上下角標(biāo)、黑白體、大小寫應(yīng)準(zhǔn)確表達(dá),對易混淆的請用鉛筆標(biāo)注。

    電子工業(yè)專用設(shè)備期刊評價(jià)報(bào)告

    年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
    影響因子 0.11 0.09 0.09 0.1 0.23 0.22 0.3 0.38
    立即指數(shù) 0.02 0.03 0.01 0.01 0.02 0.03 0.04 0.04
    發(fā)文量 230 196 98 102 95 90 90 91
    引用半衰期 7.43 7.04 9.35 8.7 8.75 9.55 8.26 6.91
    被引半衰期 5.82 6.52 7.2 7.57 6.96 8.4 7.9 7.71
    被引次數(shù) 266 287 232 274 301 272 337 318
    期刊他引率 0.83 0.86 0.93 0.89 0.87 0.88 0.91 0.86
    平均引文率 2.5 2.5 4.4 4.3 5.9 5.4 5 4.9

    電子工業(yè)專用設(shè)備文獻(xiàn)分析

    1、主要引證文獻(xiàn)期刊分析

    序號 期刊 涉及文獻(xiàn)量
    1 《電子工藝技術(shù)》 104
    2 《電子與封裝》 94
    3 《半導(dǎo)體技術(shù)》 94
    4 《微納電子技術(shù)》 74
    5 《金剛石與磨料磨具工程》 39
    6 《中國集成電路》 38
    7 《制造業(yè)自動(dòng)化》 38
    8 《機(jī)電工程技術(shù)》 38
    9 《機(jī)械設(shè)計(jì)與制造》 36
    10 《人工晶體學(xué)報(bào)》 34

    2、主要參考文獻(xiàn)期刊分析

    序號 期刊 涉及文獻(xiàn)量
    1 《半導(dǎo)體技術(shù)》 164
    2 《電子工藝技術(shù)》 157
    3 《電子與封裝》 76
    4 《微納電子技術(shù)》 59
    5 《集成電路應(yīng)用》 48
    6 《Journal of Semiconductors》 39
    7 《微細(xì)加工技術(shù)》 39
    8 《中國集成電路》 30
    9 《組合機(jī)床與自動(dòng)化加工技術(shù)》 29
    10 《印制電路信息》 29

    電子工業(yè)專用設(shè)備主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

    序號 機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量 相關(guān)發(fā)文主題
    1 中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所 646 半導(dǎo)體;光刻;晶圓;電機(jī);拋光
    2 中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所 229 真空;電池;低溫共燒陶瓷;太陽能;封裝
    3 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 168 電池;太陽能電池;太陽能;均勻性;離子注入
    4 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所 118 單晶;硅單晶;硅片;晶片;區(qū)熔
    5 電子工業(yè)部 115 半導(dǎo)體;光刻;曝光機(jī);切片;切片機(jī)
    6 北京中電科電子裝備有限公司 92 晶圓;劃片;劃片機(jī);鍵合;封裝
    7 中華人民共和國工業(yè)和信息化部 75 光刻;電路;電子專用設(shè)備;集成電路;半導(dǎo)體
    8 中國電子科技集團(tuán)公司 68 電路;集成電路;化學(xué)機(jī)械拋光;機(jī)械拋光;晶片
    9 中國電子科技集團(tuán)第十三研究所 66 光刻;刻蝕;激光;光刻機(jī);投影光刻
    10 中國科學(xué)院 54 光刻;光刻機(jī);電路;半導(dǎo)體;電子束曝光

    電子工業(yè)專用設(shè)備期刊文獻(xiàn)

    • 多功能模塊化MEMS組裝與封裝設(shè)備研究分析 作者:張志能;深圳大族激光科技股份有限公司; 廣東深圳518057
    • 鍵合機(jī)芯片翻轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)及其動(dòng)力學(xué)仿真 作者:郭聳; 朱歡歡; 陳飛彪;上海微電子裝備有限公司; 上海201203
    • MEMS用硅片的磨削工藝研究 作者:楊靜; 王雄龍; 韓煥鵬; 楊洪星; 李明佳; 張偉才;中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所; 天津300220
    • MEMS中硅各向異性腐蝕特性研究 作者:劉偉偉; 呂菲; 常耀輝; 李聰; 宋晶;中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所; 天津300220
    • 平流層浮空器能源系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì) 作者:郭進(jìn); 陸運(yùn)章; 周蒙; 張佳亮; 唐榮; 黃齊鳴;中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所; 湖南長沙410111
    • 碳化硅材料研究現(xiàn)狀與應(yīng)用展望 作者:王家鵬; 賀東葛; 趙婉云;中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所; 北京100176
    • Si襯底GaN外延生長的應(yīng)力調(diào)控 作者:鞏小亮; 陳峰武; 羅才旺; 鮑蘋; 魏唯; 彭立波; 程文進(jìn);中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所; 湖南長沙410111
    • AlGaN/GaN HEMT材料的高溫MOCVD生長研究 作者:陳峰武; 鞏小亮; 羅才旺; 程文進(jìn); 魏唯; 鮑蘋;中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所; 湖南長沙410111
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