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    半導(dǎo)體技術(shù)雜志

    半導(dǎo)體技術(shù)雜志北大期刊統(tǒng)計(jì)源期刊

    Semiconductor Technology

    主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司 主辦單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

    • 審稿周期

      1-3個(gè)月

    • 影響因子

      0.57

    • 發(fā)文量

      2255

    • 總被引次數(shù)

      7023

    • 全年訂價(jià)

      ¥ 316.00

    • H指數(shù)

      22

    • 立即指數(shù)

      0.0356

    • 引用半衰期

      3.625

    • 期刊他引率

      0.8215

    • 平均引文率

      6.5067

    基本信息:
    ISSN:1003-353X
    CN:13-1109/TN
    郵發(fā)代號(hào):18-65
    主編:趙小寧
    郵編:50051
    出版信息:
    出版地區(qū):河北
    出版周期:月刊
    出版語(yǔ)言:中文
    創(chuàng)刊時(shí)間:1976
    類別:電子
    收錄信息:
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    榮譽(yù)信息:
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    期刊介紹 歷史收錄 投稿須知 評(píng)價(jià)報(bào)告 文獻(xiàn)分析 發(fā)文分析 期刊文獻(xiàn) 常見(jiàn)問(wèn)題

    半導(dǎo)體技術(shù)期刊介紹

    《半導(dǎo)體技術(shù)》是由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所主辦,中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管的全國(guó)性電子類期刊,創(chuàng)刊于1976年,刊號(hào)(CN 13-1109/TN,ISSN 1003-353X),郵發(fā)代號(hào):18-65,全年定價(jià):316.00元/期,月刊。該雜志以刊登電子科學(xué)論文、評(píng)價(jià)電子科研成果、探討電子教學(xué)規(guī)律、傳播電子教學(xué)經(jīng)驗(yàn)、開(kāi)展電子學(xué)術(shù)討論、報(bào)道電子研究動(dòng)態(tài)、提供國(guó)內(nèi)外電子信息為主旨,引領(lǐng)電子前沿和熱難點(diǎn)問(wèn)題研究,助電子經(jīng)學(xué)者成長(zhǎng)。該刊級(jí)別為北大期刊,統(tǒng)計(jì)源期刊,歡迎廣大讀者訂閱。

    《半導(dǎo)體技術(shù)》期刊欄目主要有:趨勢(shì)與展望 半導(dǎo)體集成電路 半導(dǎo)體器件 半導(dǎo)體制備技術(shù) 先進(jìn)封裝技術(shù)

    半導(dǎo)體技術(shù)歷史收錄情況

    • 北大核心期刊(2023版)
    • 北大核心期刊(2020版)
    • 北大核心期刊(2017版)
    • 北大核心期刊(2014版)
    • 北大核心期刊(2011版)
    • 北大核心期刊(2008版)
    • 北大核心期刊(2004版)
    • 北大核心期刊(2000版)
    • 北大核心期刊(1996版)
    • 北大核心期刊(1992版)
    • 中國(guó)科技核心期刊
    • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-擴(kuò)展(2017-2018)
    • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-擴(kuò)展(2015-2016)
    • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-擴(kuò)展(2013-2014)
    • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-擴(kuò)展(2011-2012)
    • 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)
    • 科學(xué)文摘數(shù)據(jù)庫(kù)
    • 化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)
    • 文摘雜志

    半導(dǎo)體技術(shù)投稿須知

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    半導(dǎo)體技術(shù)期刊評(píng)價(jià)報(bào)告

    年度 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
    影響因子 0.22 0.28 0.28 0.31 0.4 0.47 0.57 0.49
    立即指數(shù) 0.08 0.06 0.1 0.11 0.1 0.09 0.13 0.06
    發(fā)文量 170 176 162 151 161 150 152 150
    引用半衰期 5.38 5.91 4.43 4.89 3.86 4.93 4.75 4.62
    被引半衰期 6.78 6.4 7.04 7.32 7.01 6.78 5.18 6.09
    被引次數(shù) 633 562 608 578 621 688 659 659
    期刊他引率 0.88 0.86 0.88 0.89 0.86 0.81 0.79 0.9
    平均引文率 13.3 14.6 17.5 17.1 16.1 19.8 19.5 19

    半導(dǎo)體技術(shù)文獻(xiàn)分析

    1、主要引證文獻(xiàn)期刊分析

    序號(hào) 期刊 涉及文獻(xiàn)量
    1 《微電子學(xué)》 205
    2 《電子與封裝》 204
    3 《微納電子技術(shù)》 165
    4 《現(xiàn)代電子技術(shù)》 155
    5 《電子元件與材料》 153
    6 《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》 146
    7 《電子器件》 145
    8 《電子工業(yè)專用設(shè)備》 128
    9 《電子設(shè)計(jì)工程》 121
    10 《半導(dǎo)體光電》 99

    2、主要參考文獻(xiàn)期刊分析

    序號(hào) 期刊 涉及文獻(xiàn)量
    1 《Journal of Semiconductors》 354
    2 《微電子學(xué)》 243
    3 《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》 222
    4 《物理學(xué)報(bào)》 184
    5 《微納電子技術(shù)》 162
    6 《電子與封裝》 125
    7 《半導(dǎo)體光電》 110
    8 《電子器件》 106
    9 《電子元件與材料》 97
    10 《電子工業(yè)專用設(shè)備》 94

    半導(dǎo)體技術(shù)主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

    序號(hào) 機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量 相關(guān)發(fā)文主題
    1 中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所 715 電路;晶體管;集成電路;單片;放大器
    2 河北工業(yè)大學(xué) 261 CMP;化學(xué)機(jī)械拋光;機(jī)械拋光;拋光液;拋光
    3 中國(guó)科學(xué)院 254 半導(dǎo)體;電路;激光;激光器;晶體管
    4 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 216 電路;晶體管;放大器;功耗;低功耗
    5 清華大學(xué) 177 電路;集成電路;封裝;半導(dǎo)體;芯片
    6 復(fù)旦大學(xué) 161 電路;集成電路;封裝;有限元;芯片
    7 北京工業(yè)大學(xué) 136 晶體管;可靠性;異質(zhì)結(jié);二極管;雙極晶體管
    8 西安電子科技大學(xué) 110 電路;集成電路;放大器;晶體管;轉(zhuǎn)換器
    9 電子科技大學(xué) 102 電路;集成電路;放大器;單片;晶體管
    10 華南理工大學(xué) 100 電路;晶體管;封裝;半導(dǎo)體;可靠性

    半導(dǎo)體技術(shù)期刊文獻(xiàn)

    • 超寬禁帶AlN材料及其器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì) 作者:何君; 李明月;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所; 石家莊050051
    • 微電容超聲換能器的前端專用集成電路設(shè)計(jì) 作者:杜以恒; 何常德; 張文棟;中北大學(xué)儀器科學(xué)與動(dòng)態(tài)測(cè)試教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 太原030051
    • 寄生電感對(duì)低壓增強(qiáng)型GaN HEMT開(kāi)關(guān)行為的影響 作者:彭子和; 秦海鴻; 修強(qiáng); 張英; 荀倩;南京航空航天大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院; 南京211106; 查爾姆斯理工大學(xué)電力工程系; 瑞典哥德堡999034
    • 高閾值電壓低界面態(tài)增強(qiáng)型Al2O3/GaN MIS-HEMT 作者:李茂林; 陳萬(wàn)軍; 王方洲; 施宜軍; 崔興濤; 信亞杰; 劉超; 李肇基; 張波;電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 成都610054
    • MPS二極管的少子特性仿真 作者:孫霞霞; 汪再興; 劉曉忠; 鄭麗君; 王永順;蘭州交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院; 蘭州730070
    • 一種帶有注入增強(qiáng)緩沖層的4H-SiC GTO晶閘管 作者:高吳昊; 陳萬(wàn)軍; 劉超; 陶宏; 夏云; 譙彬; 施宜軍; 鄧小川; 李肇基; 張波;電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 成都610054
    • 三維閃存中基于鎢互連的空氣隙結(jié)構(gòu)的制備工藝 作者:袁璐月; 劉峻; 范魯明; 郭安乾; 夏志良; 霍宗亮;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院; 北京100049; 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所; 北京100029; 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技責(zé)任有限公司; 武漢430205
    • 柵槽刻蝕工藝對(duì)增強(qiáng)型GaN HEMT器件性能的影響 作者:崔興濤; 陳萬(wàn)軍; 施宜軍; 信亞杰; 李茂林; 王方洲; 周琦; 李肇基; 張波;電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院; 成都610054
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    ,地址:石家莊市合作路113號(hào),郵編:50051。

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